Anwendungen von Magnesiumoxid in neuartigen Speichersystemen
Hebei Messi Biology Co., Ltd. erklärt, dass die Kristallinität, die Texturkalibrierung und die ursprüngliche Grenzflächenqualität des Dünnfilms in neuartigen Speichersystemen die Leistungsfähigkeit von MRAM-Bauelementen maßgeblich bestimmen, wobei die Ausbildung von Magnesiumoxid-Tunnelübergängen von entscheidender Bedeutung ist. Da die abgeschiedene Referenzschicht und die Magnesiumoxid-Barriereschicht größtenteils amorph sind, werden sie zunächst getempert, um sie zu kristallisieren. Anschließend wird […]
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